法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-15
授权
授权
2014-04-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/427 申请日:20131226
实质审查的生效
2014-04-02
公开
公开
机译: 具有用于保护相变材料的封装层的相变存储器器件及其制造方法以减小相变材料层的热预算
机译: 氧化钨细颗粒的形成方法,用于形成高耐热的热射线屏蔽材料;氧化钨细颗粒的形成,用于形成高耐热的热射线屏蔽材料;以及分散体,用于形成高耐热的热屏蔽材料。耐热热射线屏蔽材料
机译: 冷却功率半导体开关的方法整流器,涉及将半导体器件热连接到布置在容器或储器中的相变材料