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一种存储器电路的激光模拟单粒子效应背辐照试验方法

摘要

本发明一种存储器电路的激光模拟单粒子效应背辐照试验方法,包括如下步骤:1)将待测试电路板上粘结存储器芯片的位置镂空;2)将存储器电路测试样品固定放置在三维平移台上,驱动三维平移台,使由外部激光器出射的脉冲激光经透镜后聚焦到存储器芯片背面,并固定存储器电路测试样品在竖直方向上的位置;3)驱动三维平移台移动,对存储器电路测试样品在二维平面进行扫描;4)FPGA开发板监测存储器芯片的输入和输出,找出并记录因脉冲激光对存储器芯片造成的数据翻转而产生的数据错误以及错误数据地址。本发明可在没有红外相机的情况下精确定位发生错误的位置。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-15

    授权

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  • 2014-04-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/56 申请日:20131211

    实质审查的生效

  • 2014-03-26

    公开

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