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通过等离子体CVD法形成的化学沉积膜

摘要

本发明的目的在于提供在有机物与无机物混杂的基材中对其两种物质的密合性高、且阻隔性高的气体阻隔膜的膜结构和制造方法。具体地说,提供一种化学沉积膜,其包含硅原子、氧原子、碳原子和氢原子,该氧原子的浓度为10元素%~35元素%,该化学沉积膜是通过等离子体CVD法形成的;以及提供一种层积体,其具备:该化学沉积膜;包含硅原子和0元素%以上且小于10元素%的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第2化学沉积膜;以及包含硅原子和超过35元素%且70元素%以下的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第3化学沉积膜,在化学沉积膜的一个面上层积有第2化学沉积膜和第3化学沉积膜。

著录项

  • 公开/公告号CN104136657B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东丽工程株式会社;

    申请/专利号CN201380011749.X

  • 发明设计人 藤元高佳;山下雅充;

    申请日2013-01-16

  • 分类号C23C16/42(20060101);B32B9/00(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁香兰;庞东成

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:53:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-08

    授权

    授权

  • 2015-02-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/42 申请日:20130116

    实质审查的生效

  • 2014-11-05

    公开

    公开

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