法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-08
授权
授权
2015-02-25
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/42 申请日:20130116
实质审查的生效
2014-11-05
公开
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机译: 等离子体CVD法,氮化硅膜的形成方法,半导体装置的制造方法以及等离子体CVD法
机译: 等离子体CVD法,氮化硅膜的形成方法,半导体装置的制造方法以及等离子体CVD法
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