具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管

摘要

本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管为耗尽型器件，而没有一种相对可靠的增强型器件的问题，提供了一种具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其技术方案可概括为：与现有的GaN MIS‑HFET器件相比，本发明的具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管在其铝铟镓氮缓冲层及沟道层之间具有氮化铝背势垒层，且沟道层为复合沟道层。本发明的有益效果是，提高了可靠性，且可重复性高，适用于氮化镓基异质结场效应晶体管。