一种基于非晶态SiC薄膜的低功耗忆阻器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于非晶态SiC薄膜的低功耗忆阻器，为由衬底、底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的功能层组成的叠加结构，所述功能层为非晶态SiC薄膜，所述非晶态SiC薄膜的厚度为10nm～30nm。本发明的制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底上制备底电极；(2)在所述底电极上通过射频磁控溅射方法制备非晶态SiC薄膜；(3)在所述非晶态SiC薄膜上通过金属掩模板用直流磁控溅射方法制备顶电极，即得到所述低功耗忆阻器。本发明的忆阻器操作电压、操作电流小，从而降低了器件的功耗；本发明的制备方法在室温下进行可降低能耗，易于与其他工艺兼容。