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公开/公告号CN1245761C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-03-15
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN03141498.2
发明设计人 林殷茵;谢宇涵;汤庭鳌;
申请日2003-07-10
分类号
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞
地址 200433 上海市邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 08:58:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-09-09
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-03-15
授权
2004-05-19
实质审查的生效
2004-02-11
公开
机译: 读出的改进的非破坏性铁电存储单元
机译: 驱动非破坏性非挥发性铁电随机访问存储器的电路
机译:不对称偏振写入的非破坏性读出型铁电记忆的压印抗性改善
机译:有机逆变器配置中具有可编程铁电多态的电压可读非易失性存储单元
机译:单晶体管一晶体管(1T1T)光电非易失性MOS2存储单元,具有非破坏性读数
机译:具有非破坏性读出操作的非易失性FCG(铁电电容器和晶体管栅极连接)存储单元
机译:使用多种非破坏性测试数据类型和数据集进行桥面板的状态评估。
机译:源于非挥发性存储器非晶膜中氧空位偶极子的类铁电行为
机译:用于非破坏性读出铁电畴壁电阻开关存储器的高导电域壁的临时形成
机译:具有非破坏性读出的薄膜存储元件