以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si‑PIN光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si‑PIN光电探测器及其制备方法，以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si‑PIN光电探测器包括I型衬底、位于I型衬底下方的N区、位于I型衬底中央上方的微纳米结构层P区、位于I型衬底两侧上方的P⁺区、位于I型衬底上表面的上端电极及位于N区下表面的下端电极。本发明以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si‑PIN光电探测器比传统Si光电探测器具有更高的响应度，同时还能实现对近红外光的探测，其制备工艺简单，且可与传统硅半导体工艺兼容。