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在多晶硅上具有平滑界面的集成电路

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一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面。本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的。这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶。然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl

著录项

公开/公告号CN1007680B

专利类型发明专利
公开/公告日1990-04-18

原文格式PDF
申请/专利权人得克萨斯仪器公司;
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申请/专利号CN87102505.1
发明设计人凯利帕特纳姆;维维克·罗;
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申请日1987-03-31
分类号H01L21/82;H01L27/02;H01L29/92;
代理机构上海专利事务所;
代理人景星光
地址美国得克萨斯75265达拉斯
入库时间 2022-08-23 08:54:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2002-05-29

专利权的终止未缴年费专利权终止

专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-05-29

专利权的终止未缴年费专利权终止

专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-11-14

授权

授权
1990-11-14

授权

授权
1990-04-18

审定

审定
1990-04-18

审定

审定
1989-08-23

实质审查请求

实质审查请求
1987-12-30

公开

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