低功率应用的IGBT功率器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种低功率应用的IGBT功率器件及其制造方法，所述方法包括：对硅衬底的正面进行半导体杂质注入或扩散操作；对进行半导体杂质注入或扩散操作后的正面进行腐蚀处理；对硅衬底的背面进行P型离子注入，形成P区域；对硅衬底的背面设置沟槽；对沟槽表面进行N型离子注入，形成N区域；对所述的P区域和N区域进行扩散操作；对硅衬底进行外层封装处理。本发明的优点是：在不影响器件本身耐压能力的情况下通过增加沟槽，P型离子注入以及只在沟槽表面进行的N型离子注入，能够分别提高低压IGBT的开启和关断时间，以达到极低的开启压降和快速的反向关断恢复时间的发明目的。