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一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法

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本发明涉及纳米材料与微结构技术领域，公开了一种基于均匀的化学镀镍硅微通道衬底结构上生长均匀纳米结构材料的方法，其步骤包括：通过激光切割出所需形状的从硅衬底剥离的硅微通道，用化学镀镍的方法在微通道表面均匀生长一层镍导电层；调整沉积镍的时间使得所得到的镀镍硅微通道的电阻低于两欧姆；然后在镀镍微通道表面通过水热法生长一层纳米结构，这层纳米结构是由CoMoO

著录项

公开/公告号CN104828774B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-04

原文格式PDF
申请/专利权人华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司;
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申请/专利号CN201510122203.2
发明设计人王连卫;李劢;徐少辉;朱一平;
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申请日2015-03-20
分类号
代理机构上海伯瑞杰知识产权代理有限公司;
代理人吴泽群
地址 200062 上海市普陀区中山北路3663号
入库时间 2022-08-23 09:50:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-08-01

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):B82B 3/00 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20150320

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2017-01-04

授权

授权
2017-01-04

授权

授权
2015-09-09

实质审查的生效 IPC(主分类):B82B 3/00 申请日:20150320

实质审查的生效
2015-09-09

实质审查的生效 IPC(主分类):B82B 3/00 申请日:20150320

实质审查的生效
2015-08-12

公开

公开
2015-08-12

公开

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