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一种基于背栅晶体管的抗辐照技术及实现方法

摘要

一种基于背栅晶体管的抗辐照技术及实现方法,首先输入边界扫描测试信号,检测输出信号,检测到的输出信号与理想输出信号比较,如果二者近似程度满足要求,则停止测试,如果二者相差较大,通过内建自优化器改变芯片内各个块的背栅偏置,调节各个块内晶体管的阈值电压,通过调解后再检测输出信号,这样一直重复,直至测试输出信号与理想输出信号最大程度接近。通过边界扫描测试检测,内建自优化器调节背栅偏置可有效抑制晶体管的阈值电压偏移,从而改善晶体管的性能,达到抗辐照的功能,且本发明的抗辐照技术具有集成度高,速度快,抗辐照能力强等特点,并且成本低,工艺简单,易于实现。

著录项

  • 公开/公告号CN103824856B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海新储集成电路有限公司;

    申请/专利号CN201410074966.X

  • 发明设计人 亢勇;陈邦明;

    申请日2014-03-03

  • 分类号

  • 代理机构上海申新律师事务所;

  • 代理人吴俊

  • 地址 201500 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:50:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-11

    授权

    授权

  • 2014-06-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/04 申请日:20140303

    实质审查的生效

  • 2014-05-28

    公开

    公开

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