三维扇出型PoP封装结构及制造工艺

摘要

本发明涉及一种三维扇出型PoP封装结构及制造工艺，采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属层，按芯片排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极。塑封后在芯片正面进行重布线层制作，把芯片的焊盘进行扇出，形成第一层芯片电路。重复芯片正面朝上的工艺制作第二层芯片，在第一个封装单元上粘贴芯片和金属层，形成与上一封装单元的连接；再进行塑封、钻孔、填充金属，在第二层芯片上进行RDL制作；重复堆叠工艺形成多层芯片的堆叠，或在RDL层上制作凸点下金属层、植球；植球后将载片去除，在第一层芯片的背面制作背面再布线层，得到封装单元，封装单元进行堆叠，形成PoP封装结构。本发明可以有效改善翘曲和塑封材料涨缩引起的滑移错位。