首页> 中国专利> 一种多通道读/写RAM的电路和方法

一种多通道读/写RAM的电路和方法

摘要

本发明提供一种多通道读/写RAM的电路和方法,通过在电路中增加多个RAM,并通过总线桥、仲裁器及多路器的相互配合,在不提高系统时钟频率的情况下,使用较简单的电路控制逻辑使RAM的访问带宽得到了较大提高,且不增加系统的平均功耗;因该访问电路简单,设计成本较低,所以在系统中容易实现。

著录项

  • 公开/公告号CN103425434B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国民技术股份有限公司;

    申请/专利号CN201210147430.7

  • 发明设计人 唐端午;

    申请日2012-05-14

  • 分类号

  • 代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人薛祥辉

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302

  • 入库时间 2022-08-23 09:50:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-14

    授权

    授权

  • 2014-04-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 3/06 申请日:20120514

    实质审查的生效

  • 2013-12-04

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号