公开/公告号CN103020379B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201210576410.1
申请日2012-12-26
分类号
代理机构北京华沛德权律师事务所;
代理人刘丽君
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
入库时间 2022-08-23 09:49:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-28
授权
授权
2013-05-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20121226
实质审查的生效
2013-04-03
公开
公开
机译: 多层金属互连件和形成具有电容性结构的互连件的方法,所述电容性结构调节互连件的电容
机译: 制造包括MIM电容器和互连结构的半导体器件的方法,用于通过连接到MIM电容器的连接以及通过互连到互连结构的相同深度的开口
机译: 形成具有电容性结构的金属互连的方法,该电容性结构调节互连的电容