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超薄绝缘体基外延硅MOS晶体管的阈值电压调节方法

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摘要

超薄SOIMOS晶体管的阈值电压调节方法，包括以下步骤：制备SOI衬底；SOI顶层硅膜厚度减薄到约10nm至50nm；顶层硅膜上形成吸收层；和通过吸收层给顶层硅膜注入离子。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-11-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 授权公告日:20050803 终止日期:20120904 申请日:20020904

专利权的终止
2005-08-03

授权

授权
2003-07-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-04-16

公开

公开

1. 超薄绝缘体基外延硅MOS晶体管的阈值电压调节方法 [P] . 中国专利： CN1213466C . 2005.08.03
2. 绝缘体基硅场效应晶体管及其形成工艺和绝缘体基硅网络 [P] . 中国专利： CN1152436C . 2004.06.02
3. Method for making a silicon-on-insulator MOS transistor using a selective SiGe epitaxy [P] . 美国专利： US6048756A . 2000-04-11

机译：使用选择性SiGe外延制造绝缘体上硅MOS晶体管的方法
4. RAISED SOURCE/DRAIN SOI TRANSISTOR, AND CMOS DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF CMOS DEVICE USING ULTRA-THIN SOI(SILICON OVER INSULATOR) SUBSTRATE [P] . 韩国专利： KR20040063768A . 2004-07-14

机译：升高的源/漏SOI晶体管，以及使用超薄SOI（绝缘体上硅）衬底的CMOS器件及其制造方法
5. Method for forming an epitaxial double diffusion metal oxide silicon (DMOS) transistor structure having a low threshold voltage [P] . 韩国专利： KR940004847A . 1994-03-16

机译：具有低阈值电压的外延双扩散金属氧化物硅（DMOS）晶体管结构的形成方法