机译:超薄绝缘体上硅场效应晶体管的阈值栅极电压和亚阈值摆幅:分析模型
Institute of Semiconductor Physics, Nauki Av., 41, Kiev 03028, Ukraine;
Institute of Semiconductor Physics, Nauki Av., 41, Kiev 03028, Ukraine;
机译:环绕栅金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值摆幅和阈值电压分析模型
机译:基于潜在的阈值电压和用于无连接双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压和亚阈值摆幅模型,具有双层栅极
机译:无结外围栅晶体管的电势,阈值电压和亚阈值摆幅的分析模型
机译:围绕栅极MOSFET的双材料栅极渐变沟道栅堆叠(DMG-GC-Stack):分析阈值电压(V
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:调整电解质门控有机场效应晶体管中的阈值电压
机译:载流子限制对多栅极绝缘体上硅晶体管的亚阈值摆幅的影响
机译:调制掺杂场效应晶体管中阈值电压的强反演模型:无意识接受器的作用。