首页> 中国专利> 用于提供具有层叠的自由层的磁隧穿结元件的方法和系统以及使用这样的磁性元件的存储器

用于提供具有层叠的自由层的磁隧穿结元件的方法和系统以及使用这样的磁性元件的存储器

摘要

本发明描述了一种用于提供可用于磁性器件中的磁子结构的方法和系统以及使用该子结构的磁性元件和存储器。该磁子结构包括多个铁磁层和多个非磁性层。多个铁磁层与多个非磁性层交替。多个铁磁层是与多个非磁性层不能混合的,并且相对于多个非磁性层在化学上稳定。多个铁磁层实质上没有与多个非磁性层产生相互作用的磁死层。此外,多个非磁性层在多个铁磁层中引起垂直各向异性。磁子结构配置为当写电流流过磁子结构时可在多个稳定的磁状态之间转换。

著录项

  • 公开/公告号CN103109322B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201180044650.0

  • 发明设计人 D.洛蒂斯;E.Y.陈;唐学体;S.M.沃茨;

    申请日2011-07-08

  • 分类号G11B5/39(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人王新华

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:49:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-14

    授权

    授权

  • 2016-05-18

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G11B 5/39 登记生效日:20160427 变更前: 变更后: 申请日:20110708

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/39 申请日:20110708

    实质审查的生效

  • 2013-05-15

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号