公开/公告号CN103109322B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 三星半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201180044650.0
申请日2011-07-08
分类号G11B5/39(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人王新华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:49:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-14
授权
授权
2016-05-18
专利申请权的转移 IPC(主分类):G11B 5/39 登记生效日:20160427 变更前: 变更后: 申请日:20110708
专利申请权、专利权的转移
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/39 申请日:20110708
实质审查的生效
2013-05-15
公开
公开
机译: 使用这种磁性元件提供具有层状自由层和存储器的磁性隧道结元件的方法和系统
机译: 使用这种磁性元件提供具有层状自由层和存储器的磁性隧道结元件的方法和系统
机译: 提供具有薄板状自由层的磁性隧道结元件的方法和系统,以及使用这种磁性元件的存储器