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一种快速评价半导体器件可靠性的方法

摘要

本发明涉及一种快速评价半导体器件可靠性的方法,属于可靠性评价技术领域。该方法利用半导体器件的参数退化模型,对半导体器件的可靠性进行评价。参数退化模型是基于均相反应动力学原理,考虑退化过程中反应量的浓度变化规律建立的。本方法解决了退化量随时间单调退化、先上升后下降或先下降后上升等非单调退化等实验中半导体器件参数的不同退化规律问题,利用参数退化模型快速外推器件长期退化规律,评价器件的可靠性,缩短实验时间。

著录项

  • 公开/公告号CN103246787B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201310201219.3

  • 申请日2013-05-27

  • 分类号

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴荫芳

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 09:49:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-15

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F17/50 授权公告日:20161228 终止日期:20190527 申请日:20130527

    专利权的终止

  • 2016-12-28

    授权

    授权

  • 2016-12-28

    授权

    授权

  • 2013-09-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20130527

    实质审查的生效

  • 2013-09-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20130527

    实质审查的生效

  • 2013-08-14

    公开

    公开

  • 2013-08-14

    公开

    公开

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