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用于生长半导体晶体的半导体设备和方法

摘要

一种半导体设备包括:基座衬底;在所述基座衬底上的图案;在所述基座衬底上的缓冲层;以及在所述缓冲层上的外延层。所述图案是自组装图案。一种半导体晶体的生长方法,所述方法包括:清洗碳化硅衬底;在所述碳化硅衬底上形成自组装图案;在所述碳化硅衬底上形成缓冲层;以及在所述缓冲层上形成外延层。一种半导体设备,包括:包括图案凹槽的基座衬底;以及在所述基座衬底上的外延层。一种半导体晶体的生长方法,所述方法包括:清洗碳化硅衬底;在所述碳化硅衬底上形成自组装凸起;中形成图案凹槽;以及在所述碳化硅上形成外延层。

著录项

  • 公开/公告号CN103443902B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG伊诺特有限公司;

    申请/专利号CN201280015140.5

  • 发明设计人 金武成;曹荣得;孙昌铉;金范燮;

    申请日2012-01-20

  • 分类号

  • 代理机构北京鸿元知识产权代理有限公司;

  • 代理人许向彤

  • 地址 韩国首尔

  • 入库时间 2022-08-23 09:48:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-26

    授权

    授权

  • 2014-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20120120

    实质审查的生效

  • 2013-12-11

    公开

    公开

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