一种具有多孔绝缘层和空气隙的半导体设备的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体设备的制造方法，该方法包括一个双重镶嵌结构(20)。此双重镶嵌结构(20)包括一个金属层(1)及位于金属层(1)之上的带有通路(3)的第一绝缘层(2)。在第一绝缘层(2)之上是一个带有互连槽(6)的第二绝缘层(5)。在通路(3)和互连槽(6)内填充金属，构成一个带顶面(10)的金属芯(9)。该方法还包括以下步骤：去掉第二绝缘层(5)，在第一绝缘层(2)和金属芯(9)上覆盖一层可移除层(12)，将可移除层(12)与金属芯(9)的顶面(10)对齐，在可移除层(12)上覆盖一个多孔绝缘层(13)，通过多孔绝缘层(13)去除可移除层(12)形成空气隙(14)。根据本发明，第二金属层(5)用做生成金属芯(9)的牺牲层。在金属芯(9)生成以后，通过去掉第二绝缘层(5)，可使金属芯(9)突出于第一绝缘层(2)的表面之上。这样，就可在金属芯(9)周围形成空气隙(14)。