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硅晶片清洁方法和硅晶片清洁装置

摘要

将通过清洗液清洗过的硅晶片用碳酸水进行漂洗。根据该硅晶片清洁方法,不存在通过漂洗处理发生静电而发生静电破坏的情形、或者在清洗后的硅晶片表面上通过静电附着垃圾的情形,能够防止硅晶片附着漂洗处理时的金属杂质,并且,能够进行使用在考虑到成本的同时进而没有产生残渣的顾虑的干净的漂洗液的漂洗处理。

著录项

  • 公开/公告号CN103210476B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 栗田工业株式会社;

    申请/专利号CN201180055008.2

  • 申请日2011-11-11

  • 分类号

  • 代理机构隆天知识产权代理有限公司;

  • 代理人张永康

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:48:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-12

    授权

    授权

  • 2013-12-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20111111

    实质审查的生效

  • 2013-07-17

    公开

    公开

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