一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件及其制造方法

摘要

本发明的涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种全自对准的绝缘栅双极晶体管器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第二导电类型深扩散区，所述第二导电类型深扩散区呈“凹”形，本发明的双极晶体管器件采用绝缘侧壁是一种全自对准的技术，不需要光刻，因此能够将多晶硅的窗口的宽度减小到4um，甚至能到2um；这样就能实现更精细化的图形。