一种金属离子源和真空镀膜系统

摘要

本申请公开了一种金属离子源和真空镀膜系统。本申请的金属离子源，将其磁控靶设计成圆筒状，即安装在圆柱筒的外壳内，相应的在外壳内设置磁性元件和冷却系统，并采用引出栅引出离子束流。本申请的金属离子源，将磁控放电相对封闭在圆柱筒内，工作时，利用引出栅将离子束流引出，可以引出100％的离子束流，且束流中不含“金属液滴”；同时，本申请的靶面面积远远大于引出束流面积，引出束流密度大大提高，因此具有不需要过滤装置、快速沉积或大剂量注入的优势，可用于快速常规“束线性”薄膜沉积或大剂量高能离子注入。