公开/公告号CN103811516B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-10-05
原文格式PDF
申请/专利权人 桑迪士克科技有限责任公司;
申请/专利号CN201410020388.1
发明设计人 罗伊·E·朔伊尔莱因;
申请日2011-12-12
分类号H01L27/24(20060101);H01L45/00(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人朱胜;李春晖
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2022-08-23 09:47:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-06
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/24 授权公告日:20161005 终止日期:20181212 申请日:20111212
专利权的终止
2016-10-05
授权
授权
2016-10-05
授权
授权
2016-08-03
著录事项变更 IPC(主分类):H01L27/24 变更前: 变更后: 申请日:20111212
著录事项变更
2016-08-03
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/24 变更前: 变更后: 申请日:20111212
著录事项变更
2016-06-29
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L27/24 登记生效日:20160613 变更前: 变更后: 申请日:20111212
专利申请权、专利权的转移
2016-06-29
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/24 登记生效日:20160613 变更前: 变更后: 申请日:20111212
专利申请权、专利权的转移
2014-06-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/24 申请日:20111212
实质审查的生效
2014-06-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/24 申请日:20111212
实质审查的生效
2014-05-21
公开
公开
2014-05-21
公开
公开
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机译: 非易失性存储器件,即垂直NAND存储器器件,具有直接相邻的,移位的垂直NAND通道,该垂直NAND通道电耦合至上下选择栅线,并且在位线方向上彼此移位
机译: 具有垂直状态晶体管和垂直选择晶体管的非易失性存储器件
机译: 具有垂直状态晶体管和垂直选择晶体管的非易失性存储器件