法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-09-28
授权
授权
2012-05-30
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/00 申请日:20100309
实质审查的生效
2012-04-18
公开
公开
机译: 形成用于制造半导体元件的薄涂层涉及在耐熔化温度的材料上涂覆涂层或在熔化之前将材料覆盖在涂层上
机译: 碳化硅半导体基质,制造碳化硅半导体基质的方法,碳化硅半导体本体晶体,制造碳化硅半导体本体材料,碳化硅半导体材料的方法
机译: 用熔融材料制造薄半导体本体的装置