公开/公告号CN103140928B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 美国亚德诺半导体公司;
申请/专利号CN201180047236.5
申请日2011-09-22
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人金晓
地址 美国马萨诸塞州
入库时间 2022-08-23 09:47:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-09-28
授权
授权
2013-07-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20110922
实质审查的生效
2013-06-05
公开
公开
机译: 场效应晶体管及其改进的击穿电压形成方法。
机译: 具有改善的击穿电压的场效应晶体管及其形成方法
机译: 具有高漏-体击穿电压(Vb)的横向扩展漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(LEDMOSFET),形成LEDMOSFET的方法以及结合有互补的一对LEDMOSFET的硅控整流器(SCR)