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公开/公告号CN104950971B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军国防科学技术大学;
申请/专利号CN201510319276.0
发明设计人 李建成;邢小明;李聪;郑礼辉;蔡磊;杨黎;
申请日2015-06-11
分类号G05F1/56(20060101);
代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;
代理人胡伟华
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
入库时间 2022-08-23 09:46:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-24
授权
2015-11-04
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20150611
实质审查的生效
2015-09-30
公开
机译: 广域电源biCMOS带隙基准电压电路及基准电压提供方法
机译: 用于提供带隙基准电压的CMOS电路
机译: CMOS带隙基准电压电路
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:0.5 / splμm/ m CMOS技术中的精确低功耗带隙基准电压源
机译:1V以下15ppm /°C CMOS带隙基准电压源,无需低阈值电压器件
机译:亚阈值区域内的低于1V的超低功耗全CMOS带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:基于等效电路模型的亚阈值区域CMOS太赫兹等离子体检测器的准静态分析
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真
机译:超低功耗亚阈值电路:程序概述