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一种低功耗亚阈值型CMOS带隙基准电压电路

摘要

本发明属于模拟集成电路技术领域,公开了一种低功耗亚阈值型CMOS带隙基准电压电路,由启动电路、基准电流源产生电路、分压电路、基准电压输出电路组成,所述启动电路作用为使基准电压源摆脱“0”简并点并使其工作在指定工作电压下;所述基准电流源产生电路作用为产生电流为后端电路提供偏置,并使后端电路中的MOS管都工作在亚阈值区;所述分压电路作用为使输出电路达到所要求的技术指标,并产生负温度系数;所述基准电压输出电路作用为产生正温度系数的电压,使输出电压Vref具有零温度特性,本发明具有工作电压低、功耗低、温度系数低的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN104950971B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科学技术大学;

    申请/专利号CN201510319276.0

  • 申请日2015-06-11

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;

  • 代理人胡伟华

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

  • 入库时间 2022-08-23 09:46:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2015-11-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20150611

    实质审查的生效

  • 2015-09-30

    公开

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