公开/公告号CN103456629B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201310208524.5
发明设计人 T·沙伊佩;
申请日2013-05-30
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 09:46:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-22
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/335 授权公告日:20160907 终止日期:20190530 申请日:20130530
专利权的终止
2016-09-07
授权
授权
2016-09-07
授权
授权
2014-01-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/335 申请日:20130530
实质审查的生效
2014-01-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20130530
实质审查的生效
2013-12-18
公开
公开
2013-12-18
公开
公开
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机译: 使用凹入栅电极和高剂量漏极注入在集成电路结构中的MOS器件的沟道区和重掺杂源极/漏极接触区之间形成梯度掺杂轮廓区
机译: 通过倾斜注入在P沟道晶体管的有源区中的源极和漏极架构
机译: 用于动态随机存取存储器(DRAM)的混合存储单元,包含具有晶体管结构的特定基板,该晶体管结构具有漏极,源极,控制触点以及漏极和源极之间的沟道区等