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改善光学微影制程解析度的方法

摘要

一种改善光学微影解析度的方法。本发明的方法包括在底材上形成一层被蚀刻的蚀刻层、一无机光阻层旋涂在被蚀刻的蚀刻层上以及原子层在无机光阻层上。接着,利用深紫外光通过照射到无机光阻层使得在无机光阻层形成产生酸分子。接下来,利用酸分子将原子层催化并且具有活性的氧原子进行原子层的氧化作用而形成氧化物。经氧化作用之后,可以得到氧化层图案且容易进行蚀刻步骤。

著录项

  • 公开/公告号CN1205513C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN02142631.7

  • 发明设计人 林智勇;

    申请日2002-09-03

  • 分类号G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人任永武

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-06-08

    授权

    授权

  • 2003-12-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-10-22

    公开

    公开

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