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利用高压吹气分离高杂质熔硅的装置对多晶硅进行加热凝固除杂方法

摘要

高压吹气分离高杂质熔硅的装置及其方法,在炉体内下部设有石墨底座,在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅,在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体,在炉体上方有与供气装置相接的吹气管,吹气管的出气端头朝向坩锅内侧的底面并分布在坩锅的中心与坩锅内侧面之间。向坩锅内装入多晶硅料,关闭炉体的腔室,抽高真空,真空度小于0.1Pa;加温熔化;长晶;通过供气装置利用吹气管向硅液顶部先后吹热和冷的保护气体,使熔硅向坩埚的中心和边缘聚集,形成凸起,然后凝固,冷却至出炉温度后出炉,去除高密杂质的凸起部分。具有提高出成率和降低成本的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN104131344B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201410339744.6

  • 发明设计人 谭毅;姜大川;林海洋;温书涛;

    申请日2014-07-17

  • 分类号

  • 代理机构大连非凡专利事务所;

  • 代理人曲宝威

  • 地址 116000 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:45:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B29/06 授权公告日:20160824 终止日期:20190717 申请日:20140717

    专利权的终止

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2014-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/06 申请日:20140717

    实质审查的生效

  • 2014-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20140717

    实质审查的生效

  • 2014-11-05

    公开

    公开

  • 2014-11-05

    公开

    公开

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