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一种碳化硅纳米线的流化床化学气相沉积制备方法

摘要

本发明提供了一种碳化硅纳米线的流化床化学气相沉积制备方法,通过控制流化管的加热方式,使其在竖直方向自上而下依次形成上部低温区、中部高温区和下部低温区;催化剂颗粒在流化气体作用下于下部低温区和中部高温区进行流化,并在中部高温区形成催化剂纳米液滴;制备碳化硅的前驱体原料蒸汽通过载带气体进入中部高温区热解,与催化剂纳米液滴结合产生晶核;晶核被气流带至流化管上部低温区,经生长、结晶形成碳化硅纳米线。本发明工艺流程简单,工艺操作便捷,成本低,催化剂为固体颗粒形式,一次可较大量放入也可后期补充,碳化硅纳米线产物可在生产过程中利用负压吸出,实现连续化生产。

著录项

  • 公开/公告号CN104386698B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201410636382.7

  • 申请日2014-11-06

  • 分类号

  • 代理机构北京路浩知识产权代理有限公司;

  • 代理人王文君

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:45:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2015-04-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 31/36 申请日:20141106

    实质审查的生效

  • 2015-03-04

    公开

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