首页> 中国专利> 一种单片集成多孔硅的相对湿度传感器及其制备方法

一种单片集成多孔硅的相对湿度传感器及其制备方法

摘要

针对现有的湿度传感器结构方面的不足,本发明提供一种单片集成多孔硅相对湿度传感器及其制备方法。所述的湿度传感器包括基体,在基体上设有一对呈梳齿状且相互交错的铝电极,在铝电极的底面与侧壁上均覆盖有氧化隔离层,在铝电极的顶部覆盖有钝化层。在铝电极的梳齿之间区域的基体的顶面上覆盖有多孔硅层。在多孔硅层的顶面上覆盖有氧化层。在氧化层顶部设有多晶硅加热层。所述的制备方法,包括:划片、制备电极槽、制作氧化隔离层、制作铝电极、制作多孔硅层、制备氧化层、制备钝化层和制备多晶硅加热层8个步骤。有益效果:本产品的结构紧凑,灵敏度高。本方法与MEMS工艺相兼容,无需添加额外设备或苛刻工艺条件,成品率高。

著录项

  • 公开/公告号CN104089990B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN201410335291.X

  • 发明设计人 许高斌;张胜兵;陈兴;马渊明;

    申请日2014-07-15

  • 分类号G01N27/22(20060101);

  • 代理机构34114 合肥金安专利事务所;

  • 代理人徐伟

  • 地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

  • 入库时间 2022-08-23 09:45:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2014-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/22 申请日:20140715

    实质审查的生效

  • 2014-10-08

    公开

    公开

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