一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构

摘要

本实用新型公开的一种Si基GaNHEMT的空气桥场板结构，包括Si衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、源极、漏极、栅极、SiN钝化层以及空气桥场板，Si衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层以及SiN钝化层由下至上依次层叠设置，源极的底部穿过SiN钝化层与AlGaN势垒层后与GaN缓冲层的第一端相接触，漏极的底部穿过SiN钝化层与AlGaN势垒层后与GaN缓冲层的第二端相接触，源极、漏极以及GaN缓冲层形成欧姆接触，栅极被SiN钝化层覆盖，并设置在源极与漏极之间的AlGaN势垒层上，栅极与AlGaN势垒层形成肖特基接触，空气桥场板的第一端设置在源极上，空气桥场板的第二端绕过栅极设置在SiN钝化层上。在不改变SiN钝化层的厚度来达到优化空气桥场板对表面电场的调制，提高耐压的目的。