公开/公告号CN103887360B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201410153659.0
申请日2014-04-16
分类号H01L31/102(20060101);H01L31/036(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人曹玲柱
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:44:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-19
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/102 变更前: 变更后: 申请日:20140416
著录事项变更
2016-08-17
授权
授权
2016-08-17
授权
授权
2014-07-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/102 申请日:20140416
实质审查的生效
2014-07-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/102 申请日:20140416
实质审查的生效
2014-06-25
公开
公开
2014-06-25
公开
公开
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机译: 有机金属气相外延制备的InAs / GaSb超晶格结构红外探测器
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