公开/公告号CN215694911U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 芜湖长信科技股份有限公司;
申请/专利号CN202122207288.8
申请日2021-09-13
分类号B05B1/20(20060101);B05B15/60(20180101);C03C15/00(20060101);
代理机构34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司;
代理人李志起
地址 241009 安徽省芜湖市经济技术开发区汽经二路六号
入库时间 2022-08-23 04:32:26
机译: 一种用于太阳能电池的预蚀刻硅片表面的处理方法,包括使硅晶片的预蚀刻表面与碱土金属接触,并在预蚀刻表面上形成子结构
机译: 薄膜结构,例如一种用于有源矩阵LCD的薄膜晶体管结构,是通过在蚀刻下面的层之前使光敏掩膜层在未完全蚀刻的层侧面上热流动来生产的
机译: 一种对集成电路结构中的光致抗蚀剂具有高选择性并且对金属蚀刻残留物的去除效果优异的金属蚀刻方法装置