公开/公告号CN215731664U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 芜湖启迪半导体有限公司;
申请/专利号CN202121872345.8
申请日2021-08-11
分类号H01L23/31(20060101);H01L29/872(20060101);G02B5/12(20060101);
代理机构34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司;
代理人钟雪
地址 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
入库时间 2022-08-23 04:25:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-19
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L23/31 专利号:ZL2021218723458 变更事项:专利权人 变更前:芜湖启迪半导体有限公司 变更后:安徽长飞先进半导体有限公司 变更事项:地址 变更前:241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803 变更后:241000 安徽省芜湖市高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
机译: 激光退火方法,用于半导体器件,半导体器件,激光退火方法,激光退火装置的控制装置和激光退火装置
机译: 形成氧化物膜的方法,半导体器件,半导体器件的制造方法,氧化工艺以及使用该氧化物膜的SiC-MOS型半导体器件以及使用该SiC衬底的SiC-MOS集成电路
机译: SiC衬底,SiC基板制造方法,SiC半导体器件和SiC半导体器件的生产方法