公开/公告号CN215641424U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳芯经纬科技有限公司;
申请/专利号CN202122328193.1
发明设计人 谢后勇;
申请日2021-09-26
分类号G01R1/067(20060101);G01R1/04(20060101);
代理机构42253 荆门市森皓专利代理事务所(普通合伙);
代理人王丽
地址 518110 广东省深圳市龙华区观澜街道大富社区桂月路334号硅谷动力汽车电子创业园A8栋301
入库时间 2022-08-23 04:12:10
机译: BTB HVDC DC FACTS并联型FACTS及其通过BTB控制方案进行HVDC直流电压控制的控制方法
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种用于测量步枪弹片与炮塔之间的间隙的装置以及一种使用其的测量方法,能够通过测量步枪弹片与炮弹片之间的每个间隙来以最小的人力快速地测量间隙桶装