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公开/公告号CN215593173U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 魏永强;
申请/专利号CN201822241229.0
发明设计人 魏永强;王好平;宗晓亚;张华阳;侯军兴;蒋志强;
申请日2018-12-28
分类号C23C14/32(20060101);C23C14/56(20060101);C23C14/35(20060101);
代理机构
代理人
地址 450015 河南省郑州市二七区大学中路2号郑航家属院26号楼4单元2楼
入库时间 2022-08-23 04:09:04
机译: 高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)在多孔基体中进行深金属沉积,金属催化剂浸渍的多孔基质及其用途
机译: 脉冲磁控溅射模的高功率,该装置可改善飞溅晶粒的电离,以便执行
机译:Cu的作用对由高功率脉冲磁控溅射和脉冲DC磁控溅射组合的混合系统沉积的TIB2膜微观结构和性能
机译:TiAlCN / VCN纳米层涂层,适用于通过组合高功率脉冲磁控溅射/不平衡磁控溅射沉积的Al和Ti合金
机译:电磁场协同增强钒涂层的高功率脉冲磁控溅射沉积
机译:高功率脉冲磁控溅射的更高电离和沉积速率通过外部磁场辅助
机译:用于互连金属化的高功率脉冲磁控溅射和调制脉冲功率溅射的比较。
机译:大功率脉冲磁控溅射镍薄膜的斜角沉积
机译:高功率脉冲磁控溅射和脉冲磁控溅射沉积氧化钇稳定氧化锆薄膜
机译:组合静态和脉冲磁场中形成大功率离子环的方案