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一种EMI性能优化的OSA光器件

摘要

本实用新型涉及光通信技术领域,更具体地涉及一种EMI性能优化的OSA光器件,包括TO底座、光电转换芯片、TO帽和金属适配器;所述光电转换芯片固定在所述TO底座上,封装在所述TO帽和所述TO底座形成的密闭空间内;所述金属适配器上设有出光口,所述光电转换芯片的中心、所述TO帽的中心和所述出光口的中心均位于同一轴线上。本实用新型提供了一种EMI性能优化的OSA光器件,通过将常用的塑料适配器更换为金属适配器,提高了光器件对电磁辐射的屏蔽作用,使得在光器件内不的光不容易向外辐射,提高了OSA光器件的EMI性能。

著录项

  • 公开/公告号CN215575801U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉电信器件有限公司;

    申请/专利号CN202121117714.2

  • 发明设计人 肖逸韬;魏巍;

    申请日2021-05-24

  • 分类号G02B6/42(20060101);

  • 代理机构44341 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人何婷

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

  • 入库时间 2022-08-23 03:59:41

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