一种基于Clip结构的IGBT器件

摘要

本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于Clip结构的IGBT器件，封装外壳体、二极管芯片、IGBT芯片、发射极引脚、控制极引脚、集电极引脚、铜clipⅠ、铜clipⅡ和处于封装外壳体内部设置有框架；集电极引脚与框架直接连接，发射极引脚和控制极引脚分别与框架隔离设置，并通过封装外壳体固定；二极管芯片和IGBT芯片分别焊接于框架上，二极管芯片的阴极通过框架与IGBT芯片的集电极连接；IGBT芯片的控制极通过铜clipⅠ与控制极引脚连接，IGBT芯片的发射极和二极管芯片的阳极通过铜clipⅡ与发射极引脚连接。本技术方案在应用时功率高，铜clipⅠ和铜clipⅡ上的电流密度高，通电能力提升，电阻值低，降低通电时发热量；提升产品热疲劳寿命能力，提高产品的安全性与稳定性。