基于超表面材料的硅芯片双重防伪标识

摘要

本实用新型公开了一种基于超表面材料的硅芯片双重防伪标识，所述超表面阵列结构包括基底及基底上的纳米砖阵列。不同尺寸的纳米砖可以产生不同的等效折射率，可视为不同的截断波导，从而在长轴和短轴方向上具有相互独立的相位调制功能，提供不同的相位延迟。利用纳米砖尺寸与相位延迟量的对应关系来构建纳米砖阵列。当两束偏振方向沿纳米砖长短轴的线偏光入射至预设纳米砖阵列时，可观察到两种不同高保真全息图像，用于实现硅芯片双重防伪。这种超表面纳米砖阵列具有超薄的结构和极小的几何尺寸，可广泛用于光学防伪、信息加密等领域，且仅需简单的一次光刻工艺步骤即可制造完成，因此具有安全性高、集成度高、且设计灵活，加工简单等突出优点。