基于超表面材料的硅芯片防伪标识的设计方法

摘要

本发明公开了一种基于超表面材料的硅芯片防伪标识的设计方法，包括：确定工作波长，通过电磁仿真软件优化纳米砖单元结构的尺寸参数，使得工作波长下任意偏振态的偏振光正入射至纳米砖单元结构时，沿纳米砖单元结构的长轴方向振动的线偏振光分量反射率最大，同时沿纳米砖单元结构的短轴方向振动的线偏振光分量反射率最小；将A×B个像素组成的灰度图像的灰度信息编码为超表面阵列结构中A×B个纳米砖的转向角信息，生成转向角矩阵；将A×B个尺寸一致、方向角按照转向角矩阵排列的纳米砖单元结构等间隔排列，构成超表面阵列结构。本发明通过超表面材料实现硅芯片防伪。