公开/公告号CN215378891U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏能华微电子科技发展有限公司;
申请/专利号CN202121778729.3
发明设计人 范剑平;
申请日2021-08-02
分类号H03K17/687(20060101);
代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;
代理人吴芳
地址 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢(能华微电子)
入库时间 2022-08-23 02:35:51
机译: 用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面
机译: 适用于GaN功率器件栅极驱动电路的开关自举充电电路
机译: 适用于GaN功率器件栅极驱动电路的开关自举充电电路