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一种用于E型GaN器件的开关

摘要

本实用新型公开了一种用于E型GaN器件的开关,用于驱动E型GaN器件,开关包括第一稳压管、电容、钳位单元,第一稳压管的负极与外部驱动信号连接,第一稳压管的正极与E型GaN器件的栅极连接;电容并联在第一稳压管的两端;钳位单元包括反向串联连接的第一钳位二极管和第二钳位二极管;第一稳压管的正极与钳位单元的一端连接,且钳位单元的另一端与E型GaN器件的源极连接;钳位单元将E型GaN器件的栅极信号电压值钳在钳位单元的稳压值内。本实用新型方案能够避免因电路噪音过大带来的器件关断问题,更加安全可靠,同时驱动输出信号的电平更加精确,能够稳定驱动E型GaN器件。

著录项

  • 公开/公告号CN215378891U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏能华微电子科技发展有限公司;

    申请/专利号CN202121778729.3

  • 发明设计人 范剑平;

    申请日2021-08-02

  • 分类号H03K17/687(20060101);

  • 代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;

  • 代理人吴芳

  • 地址 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢(能华微电子)

  • 入库时间 2022-08-23 02:35:51

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