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发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体

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摘要

本发明提供一种发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，可增加外围超氧根离子(O

1. 发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体 [P] . 中国专利： CN104418590B . 2016.08.10
2. 一种可增加负离子浓度的负离子发生器装置 [P] . 中国专利： CN109301701A . 2019-02-01
3. CERAMIC SEMICONDUCTOR CAPABLE OF INCREASING PERIPHERAL SUPEROXIDE ANION CONCENTRATION AFTER GENERATING HEAT [P] . 日本专利： JP2016130202A . 2016-07-21

机译：产生热量后能增加周围超氧阴离子浓度的陶瓷半导体
4. Ceramic semiconductor capable of increasing the density of surrounding superoxide ions after heating [P] . 德国专利： DE102013110504B4 . 2018-02-01

机译：加热后能够提高周围超氧离子密度的陶瓷半导体
5. Ceramic semiconductor capable of increasing the density of surrounding superoxide ions after heating [P] . 德国专利： DE102013110504A1 . 2015-03-26

机译：加热后能够提高周围超氧离子密度的陶瓷半导体