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公开/公告号CN214848632U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南静芯微电子技术有限公司;
申请/专利号CN202121550658.1
发明设计人 董鹏;关文杰;汪洋;金湘亮;李幸;骆生辉;
申请日2021-07-08
分类号H01L27/02(20060101);H01L21/82(20060101);
代理机构44373 深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人沈祖锋
地址 410000 湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
入库时间 2022-08-23 02:11:15
机译: 具有高可变触发电压和维持电压的ESD鲁棒双极晶体管
机译: 用于低触发电压和低容纳电压的ESD保护SCR器件
机译: 气体燃料点火电路-在火花隙中产生高击穿电压和低火花维持电压
机译:用于28nm High-k金属栅极CMOS工艺中的ESD保护的低泄漏,低触发电压SCR器件
机译:基于SCR的ESD保护器件具有低触发和高鲁棒性,适用于I / O钳位
机译:堆叠开关实现低触发和高保持电压钳特性
机译:具有高保持电压和低触发电压的2级ESD保护电路,适用于高压应用
机译:一种电压空间方法,用于开发具有低器件电压应力的软开关逆变器拓扑。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:金属栅电极和用于子32nm散装CMOS技术的高电胶:用于低阈值电压器件应用的氧化镧覆盖层的应用
机译:采用碳化硅器件的高功率霍尔推进器的高输入电压放电电源。