公开/公告号CN214793552U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 罗定市英格半导体科技有限公司;
申请/专利号CN202121010951.9
申请日2021-05-12
分类号G01L1/22(20060101);G01L9/04(20060101);G01L19/00(20060101);G01L19/14(20060101);
代理机构
代理人
地址 527200 广东省云浮市罗定市双东街道沿江五路39号C栋
入库时间 2022-08-23 02:04:27
机译: 压阻式压力传感器和生产压阻式压力传感器的过程
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