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一种压阻式压力传感器芯片的封装结构

摘要

本实用新型公开了一种压阻式压力传感器芯片的封装结构,包括从上至下依次设置的压环、隔离膜片、U形座及基板,U形座的内部设置有压力传感器芯片,压力传感器芯片的底端通过绝缘贴片胶与U形座的内底端连接,基板的内部两侧均匀设置有若干接线引脚,接线引脚通过导线与压力传感器芯片连接,基板的底部外侧设置有防护壳体,防护壳体的顶端通过若干伸缩组件与基板的顶部外侧活动连接。有益效果:通过对基板封装中的隔离膜片的结构设计、并对绝缘贴片胶以及硅油的选择和处理进行了优化,从而提高芯片保护的可靠性;另外,通过采用20um线径键合导线将压力传感器芯片与接线引脚连接,便于压阻压力输出漂移具有良好的稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN214793552U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 罗定市英格半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202121010951.9

  • 发明设计人 陈贤明;张铭;

    申请日2021-05-12

  • 分类号G01L1/22(20060101);G01L9/04(20060101);G01L19/00(20060101);G01L19/14(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 527200 广东省云浮市罗定市双东街道沿江五路39号C栋

  • 入库时间 2022-08-23 02:04:27

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