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用于半导体功能材料表面缺陷调控的等离子体反应装置

摘要

本实用新型公开了一种用于半导体功能材料表面缺陷调控的等离子体反应装置,包括密封箱体、阴极板、阳极板、进气管路和真空泵;密封箱体的一个侧面设有舱门,进气管路设置在密封箱体的其他侧面,与设置进气管路相对的另一个侧面设有真空泵,密封箱体内部的顶面和底面分别设置阴极板和阳极板,阴极板和阳极板均通过一个伸缩杆与密封箱体连接。本实用新型结构设计巧妙,灵活实用性强,制作简单成本低廉,专门用于对半导体功能材料表面进行处理以增强其缺陷密度,进而达到增强其催化活性、气敏传感特性的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN214277995U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 徐州医科大学;

    申请/专利号CN202120404168.4

  • 发明设计人 隋美蓉;唐鹤云;刘琳琳;

    申请日2021-02-24

  • 分类号G01N27/62(20210101);

  • 代理机构32353 徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈俊杰

  • 地址 221000 江苏省徐州市鼓楼区铜山路209号

  • 入库时间 2022-08-23 00:36:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N27/62 专利号:ZL2021204041684 申请日:20210224 授权公告日:20210924

    专利权的终止

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