一种元器件抗总剂量生存能力预估方法

摘要

本发明公开了一种元器件抗总剂量生存能力预估方法，包括：MOS器件抗总剂量生存概率与空间环境指标要求、总剂量余量之间的关系在对数正态分布下的情况，批次性器件的抗总剂量生存概率与总剂量效应失效阈值标准差σ有关，控制σ可以在有限的总剂量余量下提高生存概率。本发明只需要控制总剂量效应失效阈值标准差σ即可实现对元器件在空间环境中的抗总剂量生存概率的预估，效率有了很大的提高。