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星上敏感元器件总剂量损伤的薄弱点鉴别方法

摘要

本发明提供了一种基于星上敏感器件总剂量损伤的幸存概率、故障影响传递概率和在轨辐射损伤时间T,建立元器件PIT模型,识别在轨卫星的元器件总剂量损伤薄弱点。本发明的星上敏感元器件总剂量损伤的薄弱点鉴别方法,以敏感元器件辐照试验数据和在轨辐射损伤时间作为模型输入,通过对星上元器件的损伤故障时间归一化处理,识别卫星元器件抗总剂量损伤的薄弱点,评估总剂量损伤严重程度,可对卫星电子器件总剂量损伤的薄弱点进行抗加设计和改进,满足未来卫星在轨任务需求和提高可靠度。

著录项

  • 公开/公告号CN110554421B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海卫星工程研究所;

    申请/专利号CN201910749304.0

  • 申请日2019-08-14

  • 分类号G01T1/02(20060101);G01C21/24(20060101);

  • 代理机构31334 上海段和段律师事务所;

  • 代理人李佳俊;郭国中

  • 地址 200240 上海市闵行区华宁路251号

  • 入库时间 2022-08-23 12:14:36

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