法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N21/01 专利号:ZL2021201832212 申请日:20210123 授权公告日:20210907
专利权的终止
机译: 硅掩膜层系统,用于生产可用于光学,化学传感器和表面微机械结构的多孔硅结构,包括二氧化硅层,键合层和保护层
机译: 1一种尺寸多孔不同的纳米玻璃丝络气体传感器,使用相同和气体传感器制造方法
机译: 用于制造电解传感器元件的方法,该电解传感器元件用于在包含两个多孔陶瓷层的计量气体腔中检测计量气体的至少一种特性